Миниатюризация полупроводниковых элементов становится критически важной для производителей, которые стремятся оставаться конкурентоспособными. В ближайшие два года литографическая отрасль сделает значительный шаг вперед с помощью оборудования класса High-NA EUV. Эта статья расскажет о новшествах в производстве чипов, ключевых игроках на рынке и ожидаемых преимуществах от внедрения данной технологии.
Проблема миниатюризации полупроводников
С каждым годом требования к производительности чипов становятся все более высокими. Уменьшение размеров транзисторов является одним из основных направлений развития.
- Текущие технологии: Современные литографические методы уже достигли предела своих возможностей.
- Необходимость перехода: Переход на High-NA EUV поможет справиться с задачами по уменьшению размеров элементов до 1,4 нм.
Технологические возможности High-NA EUV
Оборудование с высокой числовой апертурой (0,55) позволяет получать элементы размером менее 8 нм за один проход. Это открывает новые горизонты для производства интегральных микросхем.
- Производственные стандарты: Чипы могут быть выпущены по 1,4-нм нормам и техпроцессам менее 10 нм.
- Примеры использования: Intel и Samsung уже начали использовать новые сканеры для серийного выпуска своих чипов.
Ключевые игроки на рынке
ASML является ведущим производителем литографического оборудования и уже подписала контракты с крупнейшими компаниями.
- Intel: Внедряет сканер ASML Twinscan EXE:5200B для выпуска технологий Intel 14A.
- Samsung: Получила первый сканер для контрактного производства процессоров Exynos и Tesla.
- SK hynix: Активно осваивает High-NA EUV с сентября прошлого года, начиная с DRAM.
Будущее и экономические аспекты
Несмотря на перспективы, внедрение нового оборудования требует значительных инвестиций.
- Стоимость оборудования: Одна система стоит около $380 млн, что накладывает ограничения на некоторых производителей.
- Воздействие на потребителей: Затраты будут перенесены на конечных пользователей, что может повлиять на цены продуктов.
Таким образом, новое поколение литографических сканеров ASML начнет использоваться в массовом производстве в период 2027-2028 годов, открывая новые горизонты для полупроводниковой отрасли.
