Китайские исследователи прокладывают путь к производству 3-нм транзисторов, используя глубокую ультрафиолетовую литографию (DUV) вместо более продвинутой EUV. Хотя эта разработка находится на начальном этапе, она демонстрирует стремление Китая создавать современные полупроводники даже в условиях ограниченного доступа к западному оборудованию. В данной статье мы рассмотрим, как китайские ученые планируют обойти санкции и какие вызовы стоят перед ними.

Проблемы доступа к современным технологиям

Запреты на поставки оборудования создают серьезные трудности для китайских производителей. Однако, исследователи не останавливаются на достигнутом:

• Ограничения на EUV: Компания ASML не может продавать китайским заказчикам литографические установки EUV, что затрудняет массовое производство передовых чипов.
• Альтернативные технологии: Разработка технологии DUV позволяет избежать зависимости от западных технологий и оборудования.

Новые подходы к производству транзисторов

Институт микроэлектроники Китайской академии наук (IMECAS) предложил инновационный процесс для создания транзисторов с круговым затвором (GAA):

• Многократное формирование рисунка: Использование DUV требует множества экспозиций и масок, что увеличивает сложность процесса.
• Сравнение технологий: GAA-транзисторы уже используются в серийном производстве компаниями Samsung и TSMC, что подтверждает их жизнеспособность.

Перспективы и вызовы разработки

Хотя исследование находится на ранней стадии, у него есть свои сложности:

• Необходимость тестирования: Понимание перспективности разработки возможно лишь после испытаний на реальных производственных линиях.
• Технические сложности: Нужно освоить формирование межсоединений и добиться стабильного выхода годных кристаллов.

Будущее масштабирования чипов в Китае

Kитайская компания Huawei также работает над альтернативными путями масштабирования чипов:

• Tau Scaling Law: Концепция предполагает увеличение плотности вычислений через архитектурные изменения.
• Ожидания до 2031 года: Huawei надеется достичь плотности транзисторов, сопоставимой с показателями 1,4 нм.

«Даже успешное изготовление отдельных GAA-транзисторов не гарантирует готовность полноценного техпроцесса,» — подчеркивает Е Тяньчунь из IMECAS.

Таким образом, несмотря на существующие ограничения, китайские ученые продолжают работать над созданием современных полупроводниковых технологий. Это открывает новые возможности для развития высоких технологий в стране в условиях глобальной конкуренции.